Fronteiras da eletrónica
Não é de hoje que os especialistas afirmam que a Lei de Moore irá sustentar-se até que os transístores batam na faixa dos 10 nanómetros.
Abaixo dessas dimensões, as correntes "vazam", o circuito esquenta, o ruído aumenta - a consequência, para resumir, é que os cálculos começam a dar resultados imprevisíveis.
Mas talvez os limites esteja um pouco abaixo dos 10 nanómetros - que tal 1 nanómetro?
Xiaoshu Chen, com a ajuda de uma equipa da Coreia do Sul e dos EUA, desenvolveu uma técnica que permite fabricar nanoestruturas eletrónicas e óticas com separações precisas muito finas - as menores têm apenas 1 nanómetro de espessura.
Isto é pelo menos uma ordem de grandeza menor do que qualquer outra técnica permite até agora.
E não foram apenas um ou dois componentes fabricados como prova de conceito - Chen aplicou o processo para fabricar componentes numa pastilha de silício de 10 centímetros de diâmetro, maior do que a maioria dos chips.
O mais interessante foi o "equipamento de última geração" utilizado para tornar isso possível: uma mera fita adesiva, daquelas que se compra em qualquer papelaria.
É bom não esquecer que foi uma fita adesiva que permitiu a descoberta do grafeno.
Todo o conceito é muito simples, como se pode ver na ilustração, consistindo na deposição sequencial de camadas.
No final, a fita adesiva é usada para retirar a camada superior mais saliente, mas não consegue retirar a parte do material dessa camada que penetrou nos canais.
Amplificando a luz
Chen demonstrou que a luz pode ser confinada ao longo dos intervalos entre as estruturas, mesmo que esses intervalos sejam centenas e até milhares de vezes menores do que o comprimento de onda da luz.
Os investigadores estão muito interessados em forçar a luz em espaços pequenos porque esta é uma maneira simples de "amplificar" a luz, ou seja, aumentar a sua intensidade - as medições registaram intensidades da luz no interior das aberturas até 600 milhões de vezes maiores do que a luz de entrada.
"A nossa tecnologia, chamada litografia de camada atómica, poderá ser usada para criar sensores ultraminiaturizados com maior sensibilidade, e também permitir novas e entusiasmantes experiências em nanoescala, como nunca pudemos fazer antes," disse Sang-Hyun Oh, orientador do trabalho.
"Esta investigação também fornece a base para futuros estudos para melhorar a eletrónica e os dispositivos fotónicos," concluiu ele.
Bibliografia:
Atomic layer lithography of wafer-scale nanogap arrays for extreme confinement of electromagnetic waves
Xiaoshu Chen, Hyeong-Ryeol Park, Matthew Pelton, Xianji Piao, Nathan C. Lindquist, Hyungsoon Im, Yun Jung Kim, Jae Sung Ahn, Kwang Jun Ahn, Namkyoo Park, Dai-Sik Kim, Sang-Hyun Oh
Nature Communications
Vol.: 4, Article number: 2361
DOI: 10.1038/ncomms3361
Artigo do site Inovação Tecnológica
